半導體矽晶圓 Silicon Wafers

產品資訊

產品說明

半導體矽晶圓 Silicon Wafers

產品應用

分立元件

• 功率電晶體模組(MOS/IGBT)
• 整流橋、電容
• 二、三級管
• 閘流管
• 開關電晶體
• 時頻微波電晶體模組

光電器件

• CCD和CMOS影像感測器
• 光感測器、光耦合器、光開關
• 雷射發射器和抬取器
• 太陽能電池
• LED、紅外線設備

積體電路

模擬IC

• 電源管理晶片
• 射頻晶片、指紋辨識晶片

數位IC

• 微元件處理器(CPU/MPU微處理器MCU微控制器/DSP數位訊號處理器)
• 記憶體(DRAM/NANDFlash/NORFlash)
• 邏輯IC (手機基頻、乙太網路晶片等)

感應器

• 壓力感測器
• 加速陀螺儀
• 溫度感測器
• 基於MEMS的執行器
• 磁場感測器

產品特點

矽晶圓拋光片

4吋

直徑(mm)：100

6吋

直徑(mm)：150

5吋

直徑(mm)：125

8吋

直徑(mm)：200

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產品規格

項目	參數值	項目	參數值
參數	100mm/125mm/150mm/200mm	總平整度	2.0 Microns Max
生長方法	CZ	總厚度變化	3.0 Microns Max
摻雜率	P , P+；Boron / N, N+；Phos.,Sb, As	局部平整度	1.0 Microns Max
晶向	1-0-0 / 1-1-1 / 1-1-0	翹曲度	30  Microns Max
電阻率	P: 0.001-300 N: Phos. 0.0007-100 Sb. 0.006-0.02 As. 0.001-0.01	彎曲度	30  Microns Max
氧含量	6-18PPMA(New ASTM)	厚度	Target + / -15Microns
碳含量	0.5PPMA Max	正面粒子數	0.3Microns 10Max/Wafer 0.2Microns 18Max/Wafer
體金屬含量	5*1010 atoms/cm3 Max	矽片正面	Polished
表面金屬含量	5*1010 atoms/cm2 Max	矽片背面	BSD/Poly/SiO2/Etched
位錯	None	雷射刻字	Hard/Soft laser marking